时间：2025/5/21 11:22:10
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IPG20N04S4L-08是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Infineon Technologies的IPA系列。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等应用中。其设计旨在提高效率并降低功率损耗。
最大漏源电压Vds：40V
连续漏极电流Id：20A
导通电阻Rds(on)：6.5mΩ
栅极电荷Qg：37nC
开关时间ton/doff：19/25ns
工作结温范围Tj：-55°C至+150°C
IPG20N04S4L-08的主要特点是其超低的导通电阻和优化的开关性能。这些特性使其在高频开关应用中表现出色，并能够显著降低传导损耗。此外，该器件还具有较高的雪崩能力和热稳定性，从而增强了系统的可靠性和安全性。
这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，以实现更低的Rds(on)值和更小的封装尺寸。这不仅有助于减少电路板空间占用，还能提升散热性能。
其出色的动态性能也使得IPG20N04S4L-08成为硬开关和软开关拓扑的理想选择。
该MOSFET适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 工业逆变器
5. 汽车电子系统
由于其高效率和耐用性，IPG20N04S4L-08特别适合需要紧凑型解决方案且对能效有严格要求的应用场景。
IPA20N04S4L-08, IPD20N04S4L-08
