时间：2025/8/22 17:19:28
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BI6-12P是一种高压硅堆（Silicon Diode Stack）模块，广泛用于需要高电压整流的电源系统中。它由多个硅二极管串联组成，具有较高的反向电压承受能力和较大的整流电流能力。BI6-12P常用于工业设备、电力电子装置、高压发生器以及大功率电源转换系统中。
类型：高压硅堆
额定正向电流（IF）：6A
额定反向峰值电压（VRRM）：1200V
封装形式：绝缘模块封装
工作温度范围：-40°C至+150°C
最大正向压降：1.8V（典型值）
反向漏电流：≤50μA
散热方式：自然冷却或强制风冷
BI6-12P的主要特性包括高电压承受能力、良好的热稳定性和可靠性。该模块内部采用多个高压硅二极管串联结构，能够有效分担高电压，适用于大功率整流场合。此外，其封装设计具有良好的绝缘性能和机械强度，能够在恶劣环境中稳定工作。BI6-12P还具备良好的过载能力和抗冲击电流能力，适用于工业和电力系统中的关键整流电路。
该模块的正向压降较低，有助于减少整流过程中的能量损耗，提高电源系统的整体效率。同时，其封装结构便于安装和散热，适用于各种高压电源整流应用。BI6-12P的耐高温性能优异，能够在高温环境下长时间运行，确保系统的稳定性和安全性。
BI6-12P广泛应用于高压电源系统、电焊机、变频器、UPS不间断电源、电力机车、高压发生器、X射线设备、静电除尘设备、高压测试设备等需要高压整流的场合。在工业自动化和电力电子变换系统中也常用于将交流电转换为直流电，以驱动高压直流负载。
SKN6/12、SKN10/12、KBU6M、KBU8M、GBU6M
