类型：晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：35 V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
　　输出集电极电流（IC）：50 mA
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（测试条件：IF=5mA, VCE=5V）
　　上升时间（tr）：3 μs
　　下降时间（tf）：3 μs
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：DIP-6（宽体）

BH5B-PH 光耦合器具备出色的电气隔离能力和稳定的信号传输特性，适用于多种工业和消费类电子应用。其核心优势之一是高电流传输比（CTR），典型范围为50%至600%，这意味着即使在较低的输入驱动电流下（例如5mA），也能实现高效的输出响应，从而降低输入侧的功耗需求，并提高系统的能效。这一特性特别适合用于低功耗控制系统或由微控制器直接驱动的应用场景，无需额外的驱动电路即可完成信号隔离。
　　该器件具有高达5000 Vrms的隔离电压，能够有效防止高压瞬态对低压控制电路造成损害，保障系统操作人员的安全。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +110°C）使其能够在极端环境条件下可靠运行，适用于高温工业环境或寒冷户外设备。BH5B-PH 采用宽体DIP-6封装，引脚间距大，增强了爬电距离和电气间隙，进一步提升了绝缘性能，满足IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等国际安全标准的要求。
　　在动态性能方面，BH5B-PH 的上升时间和下降时间均为3微秒，虽然不属于高速光耦类别，但对于大多数中低速信号隔离应用（如继电器驱动、状态检测、电源反馈等）已足够使用。其输出端为NPN光电晶体管结构，支持共发射极和共集电极两种连接方式，提供了灵活的电路设计选择。此外，该器件对电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）具有较强的抗扰能力，能够在复杂电磁环境中保持信号完整性。
　　BH5B-PH 还具备良好的长期稳定性和老化特性，LED和光电晶体管均经过严格筛选和老化测试，确保在整个产品生命周期内保持一致的性能表现。其材料符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，适用于绿色电子产品制造。整体而言，BH5B-PH 是一款性价比高、可靠性强的通用型光耦，适合用于需要基本电气隔离功能的各种电子系统中。

BH5B-PH 光耦合器广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压调节信号传递给初级侧的PWM控制器，同时阻断高压与低压之间的直接电气连接，提升系统安全性。在工业自动化领域，该器件用于可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出模块，实现现场传感器或执行器与中央处理单元之间的信号隔离，防止工业现场的高电压或噪声干扰影响控制核心。
　　在电机驱动和逆变器系统中，BH5B-PH 可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路，避免高dv/dt干扰导致误触发。它也被广泛应用于交流适配器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）和智能电表等电力电子设备中，承担电平转换和故障保护信号传输任务。
　　此外，在通信接口电路中，如RS-232、RS-485隔离模块，BH5B-PH 可防止地电位差引起的通信异常。在医疗电子设备中，由于其符合多项安全隔离标准，可用于实现患者连接部分与主控电路之间的基本绝缘。其他常见应用场景还包括家电控制板、楼宇自动化系统、固态继电器（SSR）以及各种嵌入式控制系统中的数字信号隔离。

PC817X1NIP0F
　　LTV-356T-TA1-D
　　TLP521-1GB