时间：2025/5/7 17:20:24
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DMN2014LHAB-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用逻辑电平驱动设计，适用于低电压应用场合。它采用了微型DFN3030-8封装形式，有助于节省电路板空间，同时提供出色的电气性能和热性能。
DMN2014LHAB-7的导通电阻非常低，可有效减少功率损耗并提升效率，使其非常适合于便携式电子设备、负载开关、电机驱动器以及DC-DC转换器等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极-源极电压（Vgs(th)）：1.1V
功耗：0.9W
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻，提高系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动，简化电路设计。
3. 微型DFN3030-8封装，节省PCB空间。
4. 超低栅极电荷和输出电荷，确保快速开关性能。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供卓越的电气特性和热稳定性，适用于严苛的工作环境。
1. 移动设备中的负载开关。
2. USB充电端口保护和控制。
3. 小型电机驱动和控制。
4. 电池供电设备的电源管理。
5. DC-DC转换器及降压稳压器。
6. 各类便携式电子产品的功率开关功能。
DMN2014UFCT-7, DMN2014SMA-7
