时间：2025/12/25 12:18:16
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BH3515FV-E2是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的高精度、低功耗的霍尔效应传感器IC，专为无接触式位置检测和速度感应应用而设计。该器件采用CMOS工艺制造，具有极高的灵敏度和稳定性，适用于各种工业控制、消费电子以及汽车电子系统中的磁性检测任务。BH3515FV-E2属于开关型霍尔传感器，能够在外部磁场达到特定阈值时输出高低电平信号，从而实现对目标物体运动状态的感知。该芯片内置稳压电路、霍尔元件、信号放大器、施密特触发整形电路以及输出驱动级，集成度高，外围电路简单，可直接连接微控制器或逻辑电路进行信号处理。其封装形式为SOT-26，体积小巧，便于在空间受限的应用中安装。此外，该器件工作电压范围宽，典型值为2.7V至5.5V，适合电池供电设备使用，并具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内可靠运行。由于其出色的抗噪声性能和内置反向电压保护功能，BH3515FV-E2在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作，广泛应用于电机转速检测、旋转编码器、接近开关、门开闭检测等场景。
型号：BH3515FV-E2
制造商：Rohm
封装类型：SOT-26
工作电压范围：2.7V ~ 5.5V
工作电流（典型值）：4.5mA
输出类型：开漏N-channel MOSFET
磁感应强度（Bop）：典型值3.5mT
释放点（Brp）：典型值1.5mT
回差（Bhys）：典型值2.0mT
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
响应时间：典型值20μs
输出导通电阻（Ron）：最大值250Ω
静电放电（ESD）耐受能力：±4kV（HBM）
极性识别：单极型（南极为有效触发）
BH3515FV-E2采用先进的CMOS霍尔技术，具备高灵敏度与低功耗双重优势，使其在待机和运行状态下均能保持优异的能效表现。该传感器内部集成了完整的信号调理链路，包括霍尔元件、前置放大器、温度补偿电路、施密特触发器及输出驱动模块，确保在不同环境条件下输出信号的一致性和可靠性。其内置的温度补偿机制有效抑制了因温度变化引起的磁特性漂移，提升了全温区下的检测精度。施密特触发设计赋予器件一定的迟滞特性（Bhys≈2.0mT），防止在临界磁场附近产生多次误触发，提高了系统的抗干扰能力和稳定性。
该芯片支持开漏输出结构，允许用户通过外接上拉电阻灵活配置输出电平，兼容多种数字接口标准（如TTL、CMOS等）。其快速响应时间（约20μs）使其适用于中高速旋转检测应用，例如风扇转速监控或编码盘计数。器件还集成了反向电压保护功能，避免因电源接反而造成永久性损坏，增强了现场使用的鲁棒性。SOT-26小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，有助于长期稳定运行。此外，BH3515FV-E2符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q100部分等级认证，适用于对可靠性要求较高的车载应用，如车窗升降器位置检测或座椅位置感应。整体而言，该器件以高集成度、高稳定性和易用性著称，是现代智能传感系统中的理想选择。
BH3515FV-E2广泛应用于需要非接触式磁感应的各类电子产品中。典型应用场景包括家用电器中的洗衣机盖检测、冰箱门开关监测；工业自动化领域的限位开关、气缸位置检测；计算机外设中的笔记本电脑翻盖休眠控制；以及汽车电子中的雨刷电机反馈、变速杆位置识别等。此外，它还可用于无人机桨叶保护检测、电动工具启停控制、智能锁体到位确认等新兴物联网设备中。凭借其小尺寸与高可靠性，该传感器也常见于便携式医疗设备和电池供电的无线传感节点中，实现长久稳定的磁信号采集功能。
BH3514FV-E2
HAL15x series (Infineon)
US1881 (Melexis)
OH3144A (OmniHill)
