时间：2025/9/3 7:44:49
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BH055018PX是一款由Rohm（罗姆）半导体公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高性能的电源管理系统。该器件采用P沟道结构，适用于各种低电压应用，如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关电路。其设计旨在提供低导通电阻（RDS(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。此外，BH055018PX采用小型封装，节省空间，适合高密度PCB布局。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-5.5A（VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（最大值，VGS = -10V）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装封装）
BH055018PX的主要特性包括其低导通电阻，这对于减少功率损耗和提高效率至关重要。其P沟道设计使其能够在低电压条件下高效运行，适用于电池供电设备等对能耗敏感的应用。此外，该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了其在不同电路环境中的稳定性。器件的SOP封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和焊接，适合现代电子制造流程。
该器件的漏源电压为-30V，允许其在中等电压条件下运行，适用于多种电源管理应用。其连续漏极电流为-5.5A，在需要中等电流能力的电路中表现出色。此外，BH055018PX的功率耗散为2.5W，能够承受一定的热负荷，确保在高负载情况下的稳定运行。工作温度范围宽达-55°C至150°C，使其适用于各种严苛的工作环境。
BH055018PX广泛应用于电源管理系统，特别是在需要高效率和低功耗的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。其低导通电阻和P沟道特性使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，该MOSFET还可用于电机驱动、LED照明控制以及工业自动化系统中的开关元件。
Si4435BDY、IRFR9024、FDS6680、NTD14N03RT、FDV303P
