BGS 12P2L6 E6327是一种用于电源管理的双路N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用SOT-23-6封装形式。这种器件广泛应用于便携式设备、计算机外设和消费电子领域中的负载开关、电源转换以及保护电路设计。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:2A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷:3nC
工作结温范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
2. 小巧的SOT-23-6封装,适合空间受限的应用。
3. 高开关速度,适用于高频切换场景。
4. 热稳定性好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 提供优异的静电放电(ESD)防护能力。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. USB端口保护与电源路径管理。
3. DC-DC转换器中的同步整流。
4. 消费类电子产品中的过流保护。
5. 可充电电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业控制中的小型化功率驱动。
BSS123, AO3400, IRLML6402