时间：2025/5/8 11:50:30
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IRF7303TR是一款由英飞凌（Infineon）生产的双通道N沟道逻辑级功率MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和快速开关性能，适合用于多种电源管理应用，如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池保护电路等。IRF7303TR封装形式为SO-8，具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±6.5V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：4mΩ
总栅极电荷：14nC
输入电容：930pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：SO-8
IRF7303TR内置两个独立的N沟道MOSFET，能够有效减少电路中的元件数量并简化设计。
该器件的低导通电阻可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
其快速开关性能使得IRF7303TR非常适合高频应用环境。
此外，SO-8封装提供了良好的散热能力，并且易于集成到各种印刷电路板中。
IRF7303TR还具有较高的ESD防护能力，增强了产品的可靠性与耐用性。
IRF7303TR广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。具体包括：
负载开关
同步整流电路
DC-DC转换器
小型电机驱动
电池保护
便携式电子设备中的电源管理模块
汽车电子中的辅助电源解决方案
IRL7303TRPBF, IRF7303LPBF
