时间：2025/4/28 13:47:46
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BTS4175SGA是一款来自英飞凌（Infineon）的高性能、大电流N沟道功率MOSFET，采用TO-263-4封装形式。该器件专门设计用于汽车电子和工业应用中的高效率开关电路。其优化的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）特性使其非常适合于负载切换、电机控制和DC-DC转换等场景。
BTS4175SGA的工作电压范围为-0.3V至30V，具有非常低的导通电阻以减少功率损耗，同时具备快速开关速度以提高系统效率。此外，它还具有反向恢复时间短、热稳定性强以及ESD保护等特点。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：58A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极-源极电压：±20V
总功耗：195W
工作温度范围：-40℃至175℃
封装形式：TO-263-4
1. 超低导通电阻，能够显著降低功率损耗，从而提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适合现代高效电源管理需求。
3. 高电流承载能力，最高可达58A，适用于大功率应用。
4. 工作温度范围广，从-40℃到175℃，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 内置ESD保护功能，增强芯片的抗静电能力，提高产品耐用性。
6. 封装形式为TO-263-4，有助于散热并简化PCB布局设计。
1. 汽车电子领域，如发动机控制单元（ECU）、变速器控制、电动车窗及座椅调节系统。
2. 工业自动化设备中的电机驱动和负载切换。
3. DC-DC转换器与降压/升压电路。
4. 电池管理系统（BMS），用于锂电池组保护和均衡。
5. 开关电源（SMPS）和其他需要高效功率处理的应用场景。
BTS4170S, BTS4171S, IRF540N
