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BGA8H1BN6+E6327 发布时间 时间:2025/5/19 11:59:25 查看 阅读:3

BGA8H1BN6 E6327是一款高频射频晶体管,通常用于射频放大器和混频器电路。该器件采用了先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高增益和低噪声性能。它适用于无线通信、卫星接收以及各种射频应用领域。

参数

最大集电极-发射极电压:25V
  最大集电极电流:0.14A
  最大耗散功率:125mW
  工作频率范围:0.01GHz 至 6GHz
  增益带宽积:9GHz
  特征频率(fT):9GHz
  噪声系数:1.1dB

特性

BGA8H1BN6 E6327具有出色的高频性能,其增益带宽积达到9GHz,能够满足多种高频射频应用的需求。此外,该器件的噪声系数仅为1.1dB,使其非常适合于低噪声放大器设计。它的封装形式紧凑,适合在空间受限的应用中使用。
  BGA8H1BN6 E6327还具备良好的线性度和稳定性,确保在复杂射频环境中仍能保持稳定的工作状态。由于其优异的电气性能和可靠性,这款晶体管成为众多射频工程师的理想选择。

应用

该晶体管广泛应用于射频前端模块、低噪声放大器、射频功率放大器、混频器、调制解调器以及其他高频射频电路。在无线通信系统中,它可以作为信号增强的核心元件;在卫星接收设备中,可用于提高接收灵敏度和降低噪声干扰。
  此外,BGA8H1BN6 E6327也适用于测试与测量仪器中的高频信号处理部分,例如频谱分析仪和网络分析仪等。

替代型号

BGA8H1BN6 E6327L
  BGA8H1BN6 E6327P