时间：2025/9/7 8:09:36
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HVU202TR是一款由Renesas Electronics制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关以及各种高效率电源系统。该封装为TO-252（DPAK）形式，适合表面贴装应用，提供良好的热管理和可靠的工作性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
HVU202TR具有多项优良特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其高电压耐受能力达到600V，确保在高压系统中稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻较低，最大值为0.45Ω，有助于降低导通损耗并提高能效。此外，其最大漏极电流为12A，适用于中高功率应用。
该器件的栅源电压范围为±30V，提供良好的栅极控制稳定性，防止过压损坏。其TO-252封装设计有助于表面贴装，并具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，HVU202TR的功率耗散能力为50W，能够在高负载条件下保持稳定运行。
在工作温度方面，HVU202TR可在-55°C至+150°C的范围内正常工作，适应各种严苛环境条件。其封装材料符合RoHS标准，支持环保设计。由于其高性能和高可靠性，HVU202TR广泛用于电源转换器、LED驱动器、工业控制和消费类电源系统。
HVU202TR适用于多种高电压和高电流应用场景，包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明系统、家用电器电源控制、工业自动化设备以及电池管理系统。该器件的高能效和良好的热管理性能使其成为现代电源设计中的理想选择。
HVU202, HVU202SP, FQA12N60C, 2SK2545
