类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（Vds）：20 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8 V
　　连续漏极电流（Id）：100 mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：400 mA
　　功耗（Ptot）：300 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值 3.5 pF @ Vds = 10 V, f = 1 MHz
　　输出电容（Coss）：典型值 0.7 pF @ Vds = 10 V, f = 1 MHz
　　反向传输电容（Crss）：典型值 0.1 pF @ Vds = 10 V, f = 1 MHz
　　跨导（Gm）：典型值 200 mS @ Vds = 10 V, Id = 10 mA
　　截止频率（fT）：典型值 6 GHz
　　噪声系数（NF）：典型值 0.9 dB @ f = 1 GHz, Vds = 10 V, Id = 10 mA

BFS67W具备出色的高频响应能力和低噪声特性，使其成为射频小信号放大的理想选择。其核心优势在于高跨导（Gm）与低输入电容的结合，能够在GHz级别的频率下维持较高的电压增益，同时减少信号失真。器件的输入电容Ciss仅为3.5pF左右，显著降低了对前级驱动电路的负载效应，有助于提升整体系统的匹配效率和带宽表现。此外，反向传输电容Crss低至0.1pF，有效抑制了输出端对输入端的反馈，在高频放大器设计中可提高稳定性并降低振荡风险。该器件在1GHz频率下的噪声系数典型值为0.9dB，这一指标优于许多同类产品，特别适合用于接收机前端的低噪声放大器（LNA），以增强微弱信号的信噪比。
　　BFS67W还展现出良好的热稳定性和长期可靠性。其最大结温可达+150°C，允许在高温环境中持续运行，适用于车载电子或工业控制等严苛应用场景。SOT-23封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，而且引脚间距标准化，兼容自动化贴片工艺，提升了生产效率。器件的栅氧化层经过优化处理，提高了抗静电能力（ESD）和耐压裕度，减少了因过压或瞬态冲击导致的失效风险。此外，BFS67W的直流参数具有较好的批次一致性，便于批量生产和电路调试。英飞凌对该器件实施严格的品质管控流程，确保其在不同温度和工作条件下的性能稳定。综合来看，BFS67W凭借其高频性能、低噪声、高稳定性和小型化封装，成为无线通信、电视调谐器、FM收音模块、物联网射频节点等多种应用中的关键元件。

BFS67W主要应用于高频小信号放大场景，尤其是在甚高频（VHF）和超高频（UHF）波段的无线通信系统中表现突出。常见应用包括电视调谐器中的射频放大级，用于增强接收到的广播信号强度，改善图像质量；在FM/AM收音模块中作为前置放大器，提升灵敏度和选择性。此外，该器件也广泛用于无线遥控、智能家居传感器、RFID读写器以及低功耗物联网设备中的射频前端电路，承担信号预放大任务。由于其低噪声系数和高增益特性，BFS67W非常适合用作接收链路中的第一级放大器（LNA），能够有效放大微弱的空中信号而不引入过多噪声，从而提高整个接收系统的动态范围和灵敏度。
　　在测试测量仪器领域，BFS67W可用于构建宽带放大器模块，支持信号发生器或频谱分析仪中的中间频率（IF）放大功能。其高达6GHz的截止频率使其可在多种频率配置下灵活使用。在汽车电子中，该器件可用于胎压监测系统（TPMS）或遥控无钥匙进入系统（RKE）的射频接收部分，满足车规级环境下的可靠性要求。此外，BFS67W还可用于短距离无线通信标准如Zigbee、Bluetooth Low Energy（BLE）和Sub-GHz ISM频段设备中，作为射频驱动或缓冲放大器。得益于SOT-23封装的小型化特点，它尤其适合空间受限的便携式设备设计。工程师在使用时通常会配合阻抗匹配网络来最大化功率传输，并利用其线性工作区实现低失真的信号放大。总体而言，BFS67W的应用涵盖了消费电子、工业控制、汽车电子和通信基础设施等多个领域，是一款通用性强且性能可靠的高频MOSFET器件。

BFR92A,BFH206,2SC3324,SST313