BFR521 时间：2025/9/2 5:51:54 阅读：8

BFR521是一款双极型射频晶体管（RF Bipolar Transistor），由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产。该晶体管设计用于高频放大应用，具有良好的线性度和高增益特性，适用于无线通信、射频模块、广播设备和工业控制系统等应用领域。BFR521采用NPN结构，适用于小信号放大，工作频率范围可达数百兆赫兹。

参数

晶体管类型：NPN型射频晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：50-600（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23

特性

BFR521具备出色的高频性能，过渡频率（fT）可达250 MHz，适合用于射频和中频放大器的设计。
　　其NPN结构提供了良好的增益线性度，确保信号在放大过程中失真较小，适合用于低噪声放大电路。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为15 V，集电极电流为100 mA，适用于低功率射频应用。
　　BFR521的封装形式为SOT-23，体积小、重量轻，便于在PCB上安装和布局，适用于便携式设备和高频模块的集成设计。
　　该晶体管的hFE值范围较宽（50至600），可根据不同的工作电流调整增益特性，适应多种电路设计需求。
　　其最大功耗为300 mW，具备良好的热稳定性，适用于连续工作的射频放大场景。

应用

BFR521广泛应用于无线通信系统中的射频前端放大器，如FM接收器、无线模块和对讲机设备。
　　在广播设备中，BFR521可用于中频放大器或前置放大器，以提高信号的稳定性和清晰度。
　　由于其高频性能良好，该晶体管也常用于射频识别（RFID）系统、遥测设备和小型发射机电路中。
　　在工业控制领域，BFR521可作为高频信号放大器，用于传感器信号处理和数据采集系统。
　　此外，该器件还可用于测试设备、射频测量仪器和教育实验平台中的放大电路设计。