BFP181E-7764是一种高频双极型晶体管(BJT),主要用于射频(RF)和无线通信领域。该晶体管采用了先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有高增益、低噪声和优异的线性度特性。它适用于各种高性能射频放大器、混频器和振荡器电路。
其主要特点是能够在高频环境下保持稳定的性能表现,并支持宽泛的工作频率范围。由于其优越的电气特性和可靠性,BFP181E-7764被广泛应用于蜂窝通信设备、无线接入点、卫星通信系统以及其他需要高性能射频信号处理的场景。
类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):25 V
集电极电流(Ic):300 mA
直流电流增益(hFE):最小值100,最大值400
特征频率(fT):9 GHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-363
BFP181E-7764是一款专为高频应用设计的双极型晶体管。它具有以下关键特性:
1. 高特征频率(fT):达到9 GHz,适合高频和射频应用。
2. 低噪声系数:在高频范围内表现出较低的噪声特性,非常适合接收机前端放大器。
3. 高增益:其直流电流增益(hFE)范围广,保证了良好的信号放大能力。
4. 宽工作温度范围:能够适应极端环境条件,确保可靠运行。
5. 小型封装:采用SOT-363封装,节省空间并易于集成到紧凑型电路中。
6. 稳定性强:即使在高频条件下也能保持稳定的电气性能。
BFP181E-7764晶体管广泛用于以下领域:
1. 射频放大器:包括低噪声放大器(LNA)和功率放大器。
2. 混频器和倍频器电路:用于信号频率转换或生成更高频率信号。
3. 蜂窝通信基站和终端设备:
4. 无线接入点和路由器:
5. 卫星通信系统:
6. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备:
7. 测试与测量仪器:如频谱分析仪、网络分析仪等需要高性能射频组件的设备。
BFP181E, BFP181