时间：2025/9/6 7:03:03
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BFGP4003W-S/ST 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高功率应用。该器件采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和高频响应能力，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
BFGP4003W-S/ST 具有低导通电阻（Rds(on)），典型值为 0.035Ω，这使得在高电流应用中能有效降低功率损耗，提高系统效率。
其高频特性使其适用于开关频率较高的电路中，如 DC-DC 转换器和同步整流器，同时具备良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
此外，该 MOSFET 的封装设计（TO-252）便于散热和安装，适用于表面贴装工艺，提高了电路板设计的灵活性和可靠性。
该器件还具备出色的抗静电能力和过温保护特性，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用领域。
BFGP4003W-S/ST 主要用于各类电源转换和管理电路中，包括但不限于：
1. 高频 DC-DC 降压/升压转换器
2. 同步整流电路
3. 电机驱动器和负载开关
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备和汽车电子系统
6. 高效率电源适配器和充电器
BFGP4003W-S/ST 的替代型号包括：Si4410BDY-T1-GE3、IRFZ44N、FDS6680、FDV303N、TPS2R025EVM 等。
