时间：2025/5/6 20:41:24
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CSD17577Q5A是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用3.3mm x 2.6mm的小型QFN封装，具有极低的导通电阻和快速开关性能。这款GaN FET适合用于高频、高效能的应用场景，例如电源适配器、充电器、DC-DC转换器等。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：15A
典型导通电阻：15mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：1840pF
反向传输电容：350pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
CSD17577Q5A具备卓越的开关性能，可显著提高功率密度并降低系统损耗。
1. 高效开关：凭借其超低的导通电阻和快速开关能力，能够实现高效率的能量转换。
2. 热性能优异：得益于GaN技术，能够在高温环境下稳定运行。
3. 小型化设计：3.3mm x 2.6mm的封装使其非常适合空间受限的应用。
4. 易于驱动：优化的栅极驱动要求使得与现有控制器兼容变得容易。
5. 高可靠性：通过了严格的测试流程，确保在各种应用中的可靠性和耐用性。
该器件主要应用于需要高频和高效率的场合，如：
1. USB-PD快充适配器。
2. 笔记本电脑及移动设备充电器。
3. 工业级DC-DC转换器。
4. 开关电源（SMPS）模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理部分。
CSD17578Q5A
