时间：2025/8/25 5:25:03
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FDD5N50TM_WS是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由安森美半导体（onsemi）生产，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优异的热稳定性。FDD5N50TM_WS的封装形式为TO-252（DPAK），适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等应用。其设计目标是在高频率和高功率密度条件下提供卓越的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：5A
RDS(on)：≤ 2.0Ω（VGS = 10V）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FDD5N50TM_WS具备多项先进的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。由于采用了Trench MOSFET技术，该器件在高频率下具有出色的开关性能，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，FDD5N50TM_WS的封装设计优化了热管理，使其能够在高功率条件下保持稳定的运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受短时间的高能量冲击，提升了可靠性和耐用性。内置的快速恢复二极管（Body Diode）也进一步增强了其在复杂电路中的适用性。
另一个重要特性是其出色的栅极稳定性，FDD5N50TM_WS在不同的VGS条件下仍能保持一致的性能，适用于多种驱动电路设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。
FDD5N50TM_WS广泛应用于多个高功率电子系统中，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及LED驱动电源。在消费类电子产品中，该MOSFET常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，以提升能效。在工业控制领域，FDD5N50TM_WS也用于马达驱动器、继电器替代开关以及工业自动化设备的电源管理模块。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该器件也因其高可靠性和高效率而被广泛采用。
FDD6N50TM_WS, FDP5N50, STF5NM50N
