UT30002A是一款由UTC(友顺科技)生产的双N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术,以提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力。UT30002A的封装形式通常为SOP-8或TSSOP-8,适用于各种紧凑型设计,如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理单元等。该MOSFET的双通道设计使其在多个功率控制应用中表现出色,具备良好的热稳定性和可靠性。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):5.8A(每个通道)
导通电阻(RDS(on)):24mΩ(典型值,VGS=4.5V)
功率耗散:2.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:SOP-8 / TSSOP-8
UT30002A采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其双通道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET开关,节省了PCB空间并简化了电路设计。每个通道都具有较高的电流承载能力,适合用于高功率密度应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持在不同工作条件下稳定运行。此外,UT30002A具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持可靠的工作性能,适用于工业级和汽车电子应用。其封装形式符合RoHS环保标准,适合现代电子制造中的环保要求。
UT30002A广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及各类便携式电子产品中。由于其高效率和紧凑的封装,它也常用于需要高功率密度的设计,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式设备的电源管理电路。此外,该器件还可用于汽车电子系统中的功率控制模块,提供可靠的开关性能。
Si2302DS, TPS2R200, FDMC8030, AO4406