BF821/T3是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的双极性晶体管,属于NPN型晶体管。这款晶体管设计用于高频率和低噪声应用,适用于射频(RF)放大器和高频电路。BF821/T3以其在高频下的稳定性能和低噪声系数而闻名,使其成为许多专业通信设备和高性能电子系统的首选晶体管。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
频率范围:高达100 MHz
增益带宽积(fT):250 MHz
噪声系数:1.5 dB(典型值)
直流电流增益(hFE):110-800(根据电流和条件变化)
BF821/T3晶体管的主要特性之一是其卓越的高频性能,能够在高达100 MHz的频率下保持稳定的放大作用。这使得它非常适合用于射频放大器和高频信号处理电路。此外,该晶体管的低噪声系数为1.5 dB,这在需要最小信号干扰的应用中非常关键,例如在无线通信设备中。
BF821/T3的另一个显著特性是其良好的线性度和热稳定性,这有助于减少信号失真并提高电路的可靠性。其SOT-23封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于表面贴装技术(SMT),从而简化了在现代印刷电路板(PCB)上的集成。
该晶体管的直流电流增益(hFE)范围较广,从110到800不等,具体取决于工作电流和电压条件。这种灵活性使其能够适应多种电路设计需求。BF821/T3的封装和材料符合RoHS标准,确保其环保性能,同时具备良好的耐久性和长期稳定性。
BF821/T3晶体管广泛应用于高频电子电路设计中,尤其是在射频(RF)放大器中。它常用于无线通信设备中的低噪声放大器(LNA),以提高信号接收的灵敏度和清晰度。此外,该晶体管也常用于音频放大器、信号发生器和振荡器等电路中,以提供高保真和低噪声的信号处理能力。
在工业控制和自动化系统中,BF821/T3可用于驱动继电器、传感器和其他外围设备,提供可靠的开关和信号放大功能。其高频率特性也使其适用于射频识别(RFID)系统、测试设备和测量仪器等应用。此外,BF821/T3还可用于消费类电子产品,如收音机、音频设备和电视调谐器等,提供高质量的信号放大和处理能力。
BC847 NPN, BFQ19 NPN, 2N3904 NPN