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CS7N65F 发布时间 时间:2025/8/1 23:38:45 查看 阅读:28

CS7N65F是一款由华润微电子(CR Micro)推出的高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点,适用于多种功率电子应用。CS7N65F的额定电压为650V,连续漏极电流可达7A,适用于需要高效能功率转换的场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):7A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.5Ω(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、TO-252等多种封装形式可选

特性

CS7N65F具有多项显著的技术特性,使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先,该器件采用了先进的沟槽式MOS结构,有效降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了系统的整体效率。其次,CS7N65F具备优异的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下稳定工作,适用于各种严苛的工业环境。
  此外,CS7N65F的栅极驱动特性优化,具有较低的栅极电荷,能够实现更快的开关速度,从而减少开关损耗,提高功率转换效率。该器件的高dv/dt耐受能力也使其在高频开关应用中表现出色,降低了电磁干扰(EMI)的影响。
  在可靠性方面,CS7N65F通过了严格的工业级测试标准,具备良好的抗静电能力和过流保护特性,能够在复杂电磁环境下保持稳定工作。同时,CS7N65F的封装设计考虑了良好的散热性能,有助于提高器件在高功率应用中的长期可靠性。

应用

CS7N65F广泛应用于各种功率电子设备中,如电源适配器、LED驱动电源、电机控制器、逆变器、充电器以及各类工业自动化设备中的功率开关电路。在消费类电子产品中,CS7N65F可用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,提供高效的能量转换。在新能源领域,如光伏逆变器和电动车充电模块中,CS7N65F也可作为关键的功率开关器件使用,发挥其高耐压、低导通电阻和高可靠性等优势。

替代型号

SiHF6N65E, STF7N65M5, FQP7N65C, IRF8N65CFD1

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