BF721T1G 时间：2025/8/2 8:17:50 阅读：40

BF721T1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件适用于各种通用开关和放大应用，具有良好的性能和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、工业控制、电源管理等领域。BF721系列晶体管以其高电流增益、低饱和压降和快速开关特性而闻名，是一款性价比高的通用晶体管。

参数

类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

BF721T1G 是一款高性能的NPN型晶体管，采用先进的硅外延平面技术制造，具有出色的电气性能和热稳定性。其主要特性包括高电流增益（hFE）范围宽，从110到800，根据不同的等级划分，能够满足不同应用场景对增益的需求。这种晶体管的过渡频率（fT）高达250MHz，使其适用于高频放大和开关应用。此外，BF721T1G 的低饱和压降（Vce_sat）有助于降低功耗并提高效率，适合在电池供电设备中使用。
　　在结构上，BF721T1G 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑型电路设计中使用。该封装还提供了良好的散热性能，确保晶体管在高负载条件下仍能保持稳定运行。晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）为40V，集电极-基极电压（Vcbo）为50V，发射极-基极电压（Vebo）为5V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电压等级的电路设计。
　　该器件的额定功耗为300mW，能够在较高的环境温度下可靠工作。BF721T1G 的工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工业和消费类应用场景。由于其良好的电气特性和稳定的性能，BF721T1G 常用于信号放大、电源开关、逻辑电平转换等电路设计中。

应用

BF721T1G 的高增益、高频响应和低饱和压降特性使其广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，该晶体管常用于音频放大器、LED驱动电路和开关电源控制。在工业控制领域，BF721T1G 可用于继电器驱动、电机控制和传感器信号调理。此外，在通信设备中，该晶体管也可用于射频信号放大和数据传输电路。
　　在电源管理方面，BF721T1G 可作为稳压器中的开关元件，实现高效的能量转换。其快速开关特性也使其适用于数字电路中的逻辑电平转换和信号隔离。在嵌入式系统中，该晶体管常用于驱动MOSFET栅极、控制LED显示屏以及构建各种接口电路。