BDT31DF 是一款由东芝(Toshiba)制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要适用于高效率电源转换和功率放大电路。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理单元等应用。其封装形式为 DPAK(TO-252),便于散热和安装。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):100A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻 RDS(on):最大 2.7mΩ(@ VGS=10V)
功耗(PD):125W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:DPAK(TO-252)
BDT31DF 的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件在 VGS=10V 时,RDS(on) 最大为 2.7mΩ,能够在高电流负载下保持较低的压降和功率损耗。此外,该 MOSFET 采用了东芝先进的沟槽结构技术,提升了器件的开关性能和电流处理能力。
另一个重要特性是其高电流承载能力,最大漏极电流可达 100A,适用于大功率应用。同时,该器件的漏源电压为 30V,适合低压功率系统的设计。BDT31DF 还具备较高的热稳定性,其 DPAK 封装设计有助于散热,确保在高负载条件下稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V,适用于常见的栅极驱动电路,并具备良好的抗静电能力。此外,其工作温度范围宽,从 -55°C 到 150°C,适应各种工业环境下的使用需求。
BDT31DF 主要应用于高效率电源系统,如同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制电路、电源管理模块等。其低导通电阻和高电流能力使其成为大功率负载开关、电源分配系统和工业自动化设备中的理想选择。
在汽车电子系统中,BDT31DF 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和电动助力转向系统(EPS)等场景。由于其良好的热稳定性和高可靠性,也适合用于不间断电源(UPS)、电信电源模块以及 LED 照明驱动电路。
此外,该 MOSFET 在同步整流电路中可替代传统二极管,显著提高转换效率。其快速开关特性也适用于高频开关电源和功率放大器设计,从而实现更紧凑和高效的电源解决方案。
SiR340DP, IPB013N03L, BSC010N03LS