BDT31DF 时间：2025/8/24 11:58:14 阅读：27

BDT31DF 是一款由东芝（Toshiba）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要适用于高效率电源转换和功率放大电路。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速开关性能，适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理单元等应用。其封装形式为 DPAK（TO-252），便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：最大 2.7mΩ（@ VGS=10V）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：DPAK（TO-252）

特性

BDT31DF 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在 VGS=10V 时，RDS(on) 最大为 2.7mΩ，能够在高电流负载下保持较低的压降和功率损耗。此外，该 MOSFET 采用了东芝先进的沟槽结构技术，提升了器件的开关性能和电流处理能力。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，最大漏极电流可达 100A，适用于大功率应用。同时，该器件的漏源电压为 30V，适合低压功率系统的设计。BDT31DF 还具备较高的热稳定性，其 DPAK 封装设计有助于散热，确保在高负载条件下稳定运行。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，适用于常见的栅极驱动电路，并具备良好的抗静电能力。此外，其工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，适应各种工业环境下的使用需求。

应用

BDT31DF 主要应用于高效率电源系统，如同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制电路、电源管理模块等。其低导通电阻和高电流能力使其成为大功率负载开关、电源分配系统和工业自动化设备中的理想选择。
　　在汽车电子系统中，BDT31DF 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和电动助力转向系统（EPS）等场景。由于其良好的热稳定性和高可靠性，也适合用于不间断电源（UPS）、电信电源模块以及 LED 照明驱动电路。
　　此外，该 MOSFET 在同步整流电路中可替代传统二极管，显著提高转换效率。其快速开关特性也适用于高频开关电源和功率放大器设计，从而实现更紧凑和高效的电源解决方案。