时间：2025/5/29 17:21:42
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NTGS4141N是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为SOT-23-3L，非常适合空间受限的设计。
型号：NTGS4141N
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds（漏源极电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：85mΩ @ Vgs=4.5V
Vgs（栅源极电压）：±20V
Id（连续漏极电流）：1.9A
Ptot（总功耗）：460mW
封装：SOT-23-3L
NTGS4141N的显著特点包括低导通电阻、低栅极电荷以及优化的开关性能。
低导通电阻有助于降低传导损耗，从而提高系统效率。同时，该器件的栅极电荷较低，可以实现快速开关，减少开关损耗。
另外，NTGS4141N采用了紧凑的SOT-23-3L封装，使其成为便携式电子设备的理想选择。此外，它具备优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
NTGS4141N广泛应用于各种消费类电子和工业领域中的功率管理电路中。
典型应用包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC转换器
3. 电池管理与保护
4. 负载开关
5. 电机驱动
6. 通信设备中的信号切换
由于其小型化设计和高效性能，这款MOSFET特别适合移动设备、笔记本电脑适配器以及其他对尺寸和效率有严格要求的应用场景。
NTGS4142N, BSS138, AO3400
