BUW11AF 时间：2025/12/27 20:30:47 阅读：8

BUW11AF是一款由英飞凌（Infineon） Technologies生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好的平衡，从而降低功率损耗并提高系统效率。BUW11AF通常应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及负载开关等场景中。其封装形式为PG-HSOF-5，是一种小型化表面贴装封装，适合在空间受限的应用中使用，并具备优良的热性能和电气性能。该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器或驱动IC控制，简化了电路设计并降低了整体成本。此外，BUW11AF具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层，提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。

参数

型号：BUW11AF
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：19A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)：最大值8.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　导通电阻Rds(on)：最大值11.5mΩ（当Vgs=4.5V时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.8V，范围1.4V至2.4V
　　输入电容（Ciss）：约1350pF（在Vds=15V，Vgs=0V，f=1MHz条件下）
　　输出电容（Coss）：约470pF
　　反向传输电容（Crss）：约100pF
　　栅极电荷（Qg）：约25nC（在Vds=15V，Id=9.5A，Vgs=10V条件下）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：约28ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：PG-HSOF-5（类似PowerSO-8）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

BUW11AF采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术，这种结构通过优化载流子流动路径来显著降低导通电阻Rds(on)，从而减少传导损耗，提升整体能效。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为8.5mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为11.5mΩ，表明其具备出色的低电压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。此外，较低的栅极电荷（Qg≈25nC）和输入电容有助于减小驱动损耗，加快开关速度，使其非常适合高频开关操作，如同步整流和高频DC-DC变换器。
　　该MOSFET具有优异的热性能，得益于其PG-HSOF-5封装内部集成的散热焊盘设计，能够有效将热量传导至PCB，提升功率处理能力与长期可靠性。同时，器件具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保持稳定运行，防止因电压尖峰导致的击穿失效。其栅极氧化层经过严格工艺控制，可承受高达±20V的栅源电压，增强了对误操作或噪声干扰的容忍度。
　　BUW11AF还集成了一个快速恢复体二极管，反向恢复时间约为28ns，这在同步整流拓扑中尤为重要，可以有效抑制反向恢复引起的电压振铃和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环保和安全性的要求。其高度集成的设计减少了外围元件数量，有助于缩小PCB尺寸并提升系统功率密度。

应用

BUW11AF广泛应用于多种中等功率级别的电源管理系统中。它常用于同步降压转换器中的下管或上管，特别是在主板VRM（电压调节模块）、显卡供电电路以及嵌入式处理器核心供电中表现优异。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件也能胜任电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关角色，确保能量高效传输并减少发热问题。在DC-DC电源模块中，BUW11AF可用于隔离型或非隔离型拓扑结构，作为主开关或整流元件，提升转换效率。
　　此外，该MOSFET适用于电机驱动应用，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，能够实现快速响应和精确控制。在热插拔控制器和负载开关设计中，BUW11AF凭借其低静态功耗和快速开启/关断特性，可有效防止浪涌电流并保护后级电路。电信设备、工业控制系统、便携式电子设备（如笔记本电脑和平板电脑）的电源管理单元也是其典型应用场景。得益于其小型化封装和高可靠性，BUW11AF特别适合对空间和散热有严格要求的设计场合。