BDFN2010A054R 是一款薄膜芯片电阻器,采用无感设计,具有高精度和低温度系数的特点。该器件适合高频应用场合,其小型化封装使其在空间受限的电路设计中非常适用。它广泛用于射频 (RF) 和无线通信电路、医疗设备以及测试与测量仪器等对性能要求较高的领域。
BDFN2010A054R 的核心优势在于其卓越的电气特性和稳定性,可确保长时间运行时的一致性表现。
额定功率:0.1W
阻值:54Ω
公差:±1%
温度系数:±25ppm/°C
工作电压:50V
封装尺寸:2010(英制 0805)
ESL(等效串联电感):极低
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
BDFN2010A054R 使用先进的薄膜技术制造,从而实现了低噪声和低寄生电感的特性,非常适合高频信号处理环境。
该电阻器具备出色的长期稳定性,在恶劣的工作条件下仍能保持可靠的性能表现。
此外,其紧凑型设计便于安装在高密度印刷电路板上,同时不会牺牲任何电气性能。
由于采用了无感结构,BDFN2010A054R 在高频应用场景中的表现尤为突出,例如滤波器网络、振荡器电路和匹配网络等。
BDFN2010A054R 主要应用于需要高精度和低温度漂移的场合,包括但不限于:
- 射频和微波通信系统
- 高速数据传输线路
- 医疗成像设备和诊断仪器
- 测试与测量仪器
- 工业自动化控制电路
- 高频滤波器和匹配网络
该电阻器因其出色的高频特性和稳定性能而成为这些应用的理想选择。
BDFN2010A054J
BDFN2010A054K