CPH3417-TL是一款由Central Semiconductor Corp生产的双通道N沟道MOSFET器件,广泛应用于需要高效率开关操作的电子设备中。该器件采用SOT-23封装形式,适合于表面贴装技术(SMT),在空间受限的应用中表现出色。CPH3417-TL设计用于低电压和低电流应用,提供良好的热稳定性和电气性能,同时具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。其主要特点包括快速开关速度、低栅极电荷以及良好的抗静电能力,使得它成为便携式电子产品、电源管理电路及信号切换应用的理想选择。此外,该MOSFET还具有较高的输入阻抗,能够有效降低驱动电路的负载,从而简化设计并提升可靠性。由于采用了先进的半导体制造工艺,CPH3417-TL能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现,适用于工业控制、消费类电子和通信设备等多种场景。
型号:CPH3417-TL
制造商:Central Semiconductor Corp
封装类型:SOT-23
通道数:2
晶体管极性:N-Channel
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):500mA @ 25°C
脉冲漏极电流(Idm):1A
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
栅源击穿电压(Vgs):±20V
阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.0V @ Vds = 10V, Id = 1mA
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω @ Vgs = 10V, Id = 500mA
输入电容(Ciss):22pF @ Vds = 15V
输出电容(Coss):18pF @ Vds = 15V
反向传输电容(Crss):4pF @ Vds = 15V
开关时间-开启时间(t_on):15ns
开关时间-关闭时间(t_off):25ns
CPH3417-TL具备出色的电气特性和稳定性,使其在多种低压开关应用中表现优异。首先,该器件拥有较低的导通电阻(Rds(on)),典型值仅为0.65Ω,在Vgs=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗,这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。其次,其快速的开关响应能力——开启时间约15ns,关闭时间约25ns——确保了在高频开关环境中仍能保持高效运行,减少了开关过程中的能量损失,并降低了电磁干扰的风险。
另一个关键特性是其双N沟道结构设计,允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET通道,节省PCB布局空间的同时提高了集成度。这种配置非常适合用于同步整流、负载开关或H桥驱动等需要多个MOSFET协同工作的场合。此外,该器件的阈值电压范围为1.0V至2.0V,使其兼容3.3V逻辑电平驱动信号,也适用于部分5V系统,增强了其在不同平台间的通用性。
CPH3417-TL还具备良好的热性能,结温最高可达+150°C,且在-55°C到+150°C的宽温度范围内保持稳定工作,满足严苛环境下的应用需求。其SOT-23小型封装不仅便于自动化贴片生产,还有助于改善散热效果。输入电容、输出电容和反向传输电容均保持在较低水平,分别约为22pF、18pF和4pF,这有助于减少高频工作时的动态功耗,并提升系统的噪声抑制能力。总体而言,这些特性共同赋予了CPH3417-TL高可靠性、高效率和高适应性的综合优势。
CPH3417-TL常用于各类需要小型化、低功耗和高效率开关功能的电子系统中。一个典型应用场景是便携式消费电子产品中的电源管理模块,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,其中该器件可用于电池充放电控制、电源路径切换或负载开关控制,利用其低导通电阻和快速响应特性来优化能效。
在LED驱动电路中,CPH3417-TL可用作恒流源的开关元件或用于多路LED的选择性点亮控制,尤其适合背光调节或指示灯控制等功能。由于其支持逻辑电平驱动,可以直接由微控制器GPIO引脚驱动,无需额外的电平转换电路,简化了设计复杂度。
此外,该器件也适用于传感器信号调理电路中的模拟开关应用,比如在数据采集系统中实现多路复用功能。在通信接口保护电路中,它可以作为TVS二极管的辅助开关,用于过压保护或热插拔控制。工业控制领域的小型继电器驱动、电机驱动H桥低端开关以及DC-DC转换器中的同步整流单元也是其常见用途。
得益于SOT-23封装的小尺寸优势,CPH3417-TL特别适合高密度PCB布局设计,广泛应用于物联网终端设备、智能家居模块、无线传感器节点等对空间敏感的设计中。同时,其稳定的温度性能和抗静电能力也使其能够在较为恶劣的电磁环境中可靠运行,进一步拓展了其适用范围。
DMG3417U,TSM2302CX,FDG3417P