P8287 时间：2025/10/29 19:34:03 阅读：30

P8287是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能、高集成度的汽车级双半桥栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET或IGBT等功率开关器件而设计。该芯片广泛应用于汽车电子系统中，特别是在电机控制、电源管理和照明控制等领域表现出色。P8287采用先进的BCD工艺制造，具备高耐压、高抗噪能力和良好的热稳定性，能够在严苛的汽车工作环境中稳定运行。其封装形式通常为小型化的HVQFN或TSSOP，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。作为一款符合AEC-Q100标准的汽车级器件，P8287在可靠性、寿命和环境适应性方面均满足汽车行业严格的要求。

参数

供电电压（VDD）：4.5V ~ 28V
　　输出驱动电流（峰值）：高达350mA（拉电流/灌电流）
　　输入逻辑电平兼容：3.3V和5V逻辑电平
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　关断电流（静态电流）：<10μA（典型值）
　　传播延迟时间：<200ns（典型值）
　　上升/下降时间：<50ns（典型值）
　　输出通道数：2路独立半桥驱动
　　栅极驱动电压范围：最高可达28V
　　欠压锁定保护（UVLO）：集成，带迟滞功能
　　过温保护（OTP）：内置热关断功能
　　封装类型：HVQFN16或TSSOP16（具体取决于版本）

特性

P8287的核心特性之一是其双独立半桥驱动结构，允许用户灵活配置两个半桥电路以驱动多个功率开关，适用于H桥电机驱动、DC-DC转换器和LED驱动等多种拓扑结构。每个通道均可独立控制，输入端支持标准CMOS/TTL逻辑电平，便于与微控制器或DSP直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。芯片内部集成了自举二极管，减少了外部元件数量，提升了系统的可靠性和紧凑性。此外，P8287具备出色的抗电磁干扰（EMI）能力，在高频开关应用中仍能保持信号完整性，避免误触发。
　　安全性与保护机制是P8287的重要优势。它内置了完善的保护功能，包括欠压锁定（UVLO），确保在电源电压未达到安全工作阈值前禁止输出，防止功率器件在低电压下异常导通导致损坏；同时具备过温保护（OTP），当芯片温度超过设定阈值时自动关闭输出，待温度恢复后重新启动，有效防止热失控。这些保护机制显著提高了系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。
　　该器件还具有低功耗待机模式，通过使能引脚可将芯片置于低静态电流状态，适用于对功耗敏感的车载应用，如电池管理系统或远程无钥匙进入系统中的电机驱动模块。P8287的输出级采用图腾柱结构，具备快速充放电能力，能够高效地驱动大栅极电荷的MOSFET，减少开关损耗，提高整体系统效率。其宽电压工作范围使其不仅适用于12V汽车系统，也可用于24V商用车平台，增强了通用性。

应用

P8287广泛应用于各类汽车电子控制系统中，尤其适合需要高可靠性和紧凑设计的场景。在车身电子系统中，常用于车窗升降电机、门锁电机、座椅调节电机等有刷直流电机的驱动控制，凭借其双半桥结构可实现正反转控制。在照明系统中，可用于驱动汽车前大灯、日间行车灯或尾灯中的LED阵列，配合PWM调光实现亮度调节。此外，P8287也适用于电动助力转向（EPS）系统中的辅助电源管理模块、燃油泵控制电路以及HVAC系统中的风机电机驱动。
　　由于其高集成度和优良的热性能，P8287也被用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中的隔离式或非隔离式电源拓扑。在这些应用中，它可以驱动同步整流MOSFET或主开关管，提升转换效率。工业领域中，P8287同样可用于工业自动化设备中的小功率电机驱动或电源模块，尤其是在要求宽温工作和高抗扰能力的环境中表现优异。得益于AEC-Q100认证和TS16949生产体系保障，P8287已成为众多汽车Tier 1供应商和模块制造商的首选栅极驱动器之一。