时间：2025/6/18 21:46:19
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UPA2800T1L是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适合用于高效能功率转换电路中。
UPA2800T1L的结构设计使其在高频应用场合下表现出优异的开关性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
UPA2800T1L具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力，能够满足大功率应用场景的需求。
3. 优化的Qg（栅极电荷）设计，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
4. 出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 快速开关特性，适合高频开关应用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
UPA2800T1L适用于以下应用领域：
1. 开关电源中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器中的同步整流。
5. 电池管理系统的功率路径控制。
6. 各类工业自动化设备中的功率切换功能。
IRFZ44N, STP28NF06L, FDP150AN
