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BD90640HFP-C 发布时间 时间:2025/12/25 13:38:08 查看 阅读:22

BD90640HFP-C是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)推出的高效、降压型DC-DC转换器IC,专为需要高效率和高可靠性的电源管理应用而设计。该器件采用先进的Bi-CDMOS工艺制造,具备出色的热稳定性和电气性能,适用于多种工业、消费类及汽车电子系统中的非隔离式直流电源转换场景。BD90640HFP-C支持宽输入电压范围,能够在不同供电条件下稳定工作,同时集成了多项保护功能,如过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),确保系统在异常情况下仍能安全运行。其封装形式为HFP(Heat Sink Flat Package),具有优异的散热性能,适合高功率密度应用场景。该芯片广泛用于车载设备、工业控制模块、网络通信设备以及家用电器中的辅助电源系统。通过外部电阻分压网络,用户可灵活调节输出电压,满足多样化的设计需求。此外,BD90640HFP-C工作频率可在一定范围内设定,支持固定频率PWM控制模式,有助于优化电磁干扰(EMI)特性并提升整体系统兼容性。

参数

型号:BD90640HFP-C
  类型:降压型DC-DC控制器
  输入电压范围:8V 至 36V
  输出电压范围:可调,最低可达1.25V
  最大输出电流:连续输出能力取决于外部MOSFET
  开关频率:典型值200kHz,可同步至外部时钟
  反馈参考电压:1.25V ±1.5%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  静态电流:约5.5mA(无负载)
  关断电流:小于1μA
  控制方式:电流模式PWM控制
  封装形式:HFP48P7S1(带散热片的扁平封装)

特性

BD90640HFP-C采用电流模式控制架构,提供快速瞬态响应和良好的环路稳定性,特别适合对动态负载变化敏感的应用场景。其内置斜坡补偿机制有效防止在占空比大于50%时发生次谐波振荡,提升了系统在宽输入电压范围内的运行可靠性。
  该芯片具备软启动功能,可通过外部电容设置启动时间,避免上电过程中产生过大的浪涌电流,从而保护输入电源和后级电路。同时,它集成了精确的基准电压源(1.25V),保证了输出电压的高精度调节能力,典型误差在±1.5%以内,适用于对电源精度要求较高的系统。
  为了增强系统的安全性与可靠性,BD90640HFP-C内置多重保护机制。过流保护通过检测外部Sense Resistor或High-Side MOSFET的导通压降实现,在负载短路或过载时自动限制电流或关闭输出;过温保护则在芯片结温超过安全阈值(通常为160°C)时触发,强制进入关断状态直至温度恢复。此外,欠压锁定(UVLO)功能确保只有当输入电压达到稳定工作范围后才启动芯片,防止因供电不足导致误操作或不稳定行为。
  HFP封装不仅提供了优良的机械强度,还通过底部裸露焊盘显著降低热阻,使热量能够高效传导至PCB,提高整体散热效率。这一特性使其适用于持续高功率工作的工业环境。芯片还支持外部时钟同步功能,允许多个电源模块协调工作以减少拍频干扰,提升多轨电源系统的EMI性能。

应用

BD90640HFP-C广泛应用于需要高效、可靠直流电源转换的领域。在汽车电子中,常用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元等,利用其宽输入电压范围适应车辆点火、冷启动等复杂工况下的电源波动。
  在工业自动化领域,该芯片可用于PLC电源模块、电机驱动器辅助电源、工业HMI设备供电系统等,凭借其高集成度和强抗干扰能力,保障系统在恶劣电磁环境中稳定运行。
  此外,BD90640HFP-C也适用于通信基础设施设备,如基站电源、光模块供电单元,以及高端家电中的主控板电源设计。其可调输出电压特性使得同一型号可适配多种不同的负载需求,降低了物料种类和库存成本。
  由于支持外驱MOSFET结构,该芯片可根据实际功率需求选择合适的功率器件,实现从几十瓦到上百瓦的灵活扩展,因此也被用于一些中大功率LED驱动电源或嵌入式计算平台的中间总线转换器设计中。

替代型号

BD9G640EFJ-LA

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