时间:2025/12/25 11:03:18
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BD7672AG-GTR是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的DC-DC降压转换器(Buck Converter),专为高效、低功耗的电压调节应用而设计。该芯片采用电流模式控制架构,具备良好的瞬态响应和稳定性,适用于多种便携式设备和工业控制系统中的电源管理模块。BD7672AG-GTR集成了高侧功率MOSFET,简化了外部电路设计,同时支持宽输入电压范围,能够在多种供电条件下稳定工作。该器件封装形式为小型化的表面贴装TSOT-23-6封装,有助于节省PCB空间,适合对尺寸敏感的应用场景。此外,该芯片内置多种保护功能,包括过流保护、热关断和欠压锁定(UVLO),提升了系统在异常情况下的可靠性与安全性。其工作温度范围通常为-40°C至+85°C,满足工业级应用需求。BD7672AG-GTR常用于电池供电设备、物联网节点、传感器模块、消费类电子产品以及嵌入式系统中作为主电源或辅助电源解决方案。
型号:BD7672AG-GTR
制造商:ROHM Semiconductor
封装类型:TSOT-23-6
引脚数:6
输入电压范围:2.7V 至 6.0V
输出电压类型:固定输出
固定输出电压:1.8V
最大输出电流:600mA
开关频率:1.2MHz
控制方式:电流模式PWM控制
静态电流:典型值25μA
关断电流:小于1μA
工作效率:最高可达90%以上(取决于负载和输入/输出条件)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
集成MOSFET:内置高侧N沟道MOSFET
保护功能:过流保护、热关断、欠压锁定(UVLO)
调节类型:稳压输出
安装方式:表面贴装
BD7672AG-GTR采用先进的电流模式PWM控制架构,提供优异的负载调整率和线路调整率,确保输出电压在各种输入电压和负载变化下保持高度稳定。该芯片的工作频率高达1.2MHz,允许使用小型电感和陶瓷电容,从而显著减小整体电源解决方案的尺寸,非常适合空间受限的应用场合。其内部集成的高侧功率MOSFET不仅提高了功率密度,还减少了外部元件数量,降低了设计复杂度和成本。芯片具备低静态电流特性,在轻载或待机状态下能够有效延长电池寿命,特别适用于由锂电池或其他有限能源供电的便携式设备。
该器件具有快速的动态响应能力,能够在负载突变时迅速调整占空比以维持输出电压稳定,避免系统因电压波动而出现异常行为。此外,BD7672AG-GTR内置完善的保护机制,如逐周期过流保护可防止电感饱和和MOSFET损坏;热关断功能在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复运行,提升了长期工作的可靠性。欠压锁定(UVLO)功能则确保在输入电压不足时不启动芯片,防止不稳定操作。
BD7672AG-GTR还支持逻辑电平使能控制,通过EN引脚实现芯片的开启与关断,便于系统进行电源管理策略配置。当处于关断模式时,芯片几乎不消耗电流,进一步优化了系统的能效表现。其TSOT-23-6封装具有良好的散热性能和焊接可靠性,适用于自动化贴片生产流程。综合来看,该芯片在效率、尺寸、可靠性和易用性方面实现了良好平衡,是中小功率DC-DC转换应用的理想选择之一。
BD7672AG-GTR广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的各种电子系统中。在便携式消费类电子产品中,例如蓝牙耳机、智能手表、可穿戴设备和手持仪器,它常被用于将单节锂离子电池(标称电压3.7V)或两节碱性电池(约3V)降至稳定的1.8V,供给微控制器、传感器或无线通信模块使用。由于其低静态电流和高效率特性,有助于延长设备的待机时间和整体续航能力。
在物联网(IoT)领域,该芯片适用于各类低功耗传感器节点、无线传感网络和智能家居终端设备,为其提供可靠的电源转换支持。在工业控制和自动化系统中,BD7672AG-GTR可用于为PLC模块、信号调理电路或隔离接口供电,尤其适合分布在紧凑空间内的分布式电源架构。
此外,该器件也常见于测试测量设备、医疗监控装置以及小型嵌入式系统中,作为FPGA、ASIC或MCU的核心供电源之一。其高开关频率使得滤波元件更小,有利于提高系统集成度。对于需要符合电磁干扰(EMI)限制的产品,设计者可通过合理布局和使用屏蔽电感来满足相关标准。总之,任何需要从较高直流电压获得稳定1.8V输出且对体积和功耗有严格要求的应用场景,都是BD7672AG-GTR的适用范围。
BD7671AG-GTR
BD7673AG-GTR
MT3608
RT8059