时间：2025/7/12 11:40:57
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TEVB10R0V3B1X 是一款由 Toshiba（东芝）制造的高压功率 MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用 TO-263-7 封装，具备低导通电阻和高耐压特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片具有增强型功能设计，可提供更高的电流承载能力和更优的热性能表现，同时其封装形式有助于简化 PCB 布局并提高系统的可靠性。
类型：MOSFET
最大漏源电压 Vds：650 V
最大栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：10 A
导通电阻 Rds(on)：0.3 Ω（在典型值条件下）
总功耗：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-263-7
TEVB10R0V3B1X 的关键特性包括：
1. 高击穿电压：高达 650V 的漏源电压使其适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为 0.3Ω，在高电流应用中显著降低了功耗。
3. 快速开关速度：得益于优化的栅极电荷设计，该器件可以实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
4. 热稳定性：该芯片经过特殊设计，可在高温环境下保持稳定的电气性能。
5. 多引脚封装：TO-263-7 封装提供了更多的控制引脚，方便进行复杂的驱动和保护操作。
6. 符合 RoHS 标准：确保环保合规性。
TEVB10R0V3B1X 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，用于高效功率转换。
2. 电机驱动：适用于工业自动化和家用电器中的电机控制。
3. DC-DC 转换器：用于电动汽车、通信设备等领域的电压调节。
4. 光伏逆变器：助力太阳能发电系统的能量转换。
5. PFC（功率因数校正）电路：提高输入功率因数，满足严格的能效标准。
TEVB10R0V3B1XK, TEVB10R0V3B1XA
