类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：0.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5Ω @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 3.0V
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管配置：单MOSFET

2SK2253-01M(MR) MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高频和小型电源管理应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的高效能，减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高速开关特性使其适用于高频DC-DC转换器和开关电源，能够快速响应开关信号，减少开关损耗。
　　此外，2SK2253-01M(MR)的SOT-23封装设计非常紧凑，适合在空间受限的PCB布局中使用。这种封装形式不仅节省空间，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。器件的栅极阈值电压范围为1.5V至3.0V，允许使用低电压控制信号进行驱动，非常适合低功耗应用。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和过热保护能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应了广泛的工业和消费类电子应用环境。2SK2253-01M(MR)的设计确保了在各种工作条件下的一致性和可靠性，是高频开关应用的理想选择。

2SK2253-01M(MR) MOSFET主要应用于高频DC-DC转换器、小型开关电源、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率控制电路。其高速开关特性和低导通电阻使其非常适合用于电池供电设备中的电源管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和小型传感器模块。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于负载开关、电压调节和电流控制。其紧凑的SOT-23封装也使其成为空间受限应用的首选元件。此外，该器件还可用于LED驱动电路、小型电机控制和低功耗微控制器外围电路，提供高效且可靠的功率开关功能。

2SK3018, 2N3904, 2SK2254