HZM6C 时间：2025/9/6 15:12:50 阅读：4

HZM6C是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率电子设备中，如电源、变换器和电机驱动器等。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特性。HZM6C通常采用TO-220或TO-263等封装形式，适用于各种工业和消费类电子应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-220、TO-263

特性

HZM6C具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高电压环境，例如开关电源和DC-DC转换器。其次，低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高功率应用中保持稳定运行。HZM6C的开关速度快，有助于减少开关损耗并提高整体系统性能。其封装形式（如TO-220）也确保了良好的散热性能，使器件能够在较高电流下可靠工作。

应用

HZM6C广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
　　2. 逆变器和DC-AC转换器，用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统。
　　3. 电机驱动器和工业自动化设备，用于控制大功率负载。
　　4. 电源适配器和充电器，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
　　5. 电池管理系统（BMS）中用于过流保护和负载切换。