时间：2025/12/27 11:32:44
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B82442A1105K 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的滤波、耦合、去耦和旁路等应用。该器件属于 EPCOS 品牌下的高性能电容系列，具有高可靠性与稳定性，适用于工业、汽车及通信设备等多种严苛环境下的应用场景。B82442A1105K 采用先进的陶瓷材料和制造工艺，确保在宽温度范围内保持良好的电性能表现。其标称电容值为 1.0 μF（微法），额定电压为 10 V DC，适合低电压电源系统中使用。该元件封装尺寸为 0805（英制），即公制 2012，便于表面贴装技术（SMT）自动化装配，广泛应用于现代高密度印刷电路板设计中。
该型号的‘105K’表示容量代码：105 对应 1.0×10^5 pF = 1.0 μF，K 表示容量公差为 ±10%。B82442A 系列专为满足 AEC-Q200 汽车级标准而设计，具备优异的抗湿性、热循环耐久性和机械强度，能够承受回流焊过程中的高温冲击。此外，该电容器采用镍/锡阻挡层电极结构，增强了可焊性和长期可靠性，防止因银迁移导致的短路问题。作为一款 X7R 温度特性电介质产品，它能在 -55°C 至 +125°C 的温度区间内工作，电容变化率不超过 ±15%，适用于需要稳定电容值的场合。
电容值：1.0 μF
电压：10 V DC
温度特性：X7R
电容公差：±10%
封装尺寸：0805（2012）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：陶瓷（多层）
安装类型：表面贴装（SMD）
电极结构：Ni/Sn（镍/锡阻挡层）
产品系列：B82442A
符合标准：AEC-Q200, RoHS
包装形式：卷带（Tape and Reel）
B82442A1105K 多层陶瓷电容器具备出色的电气稳定性与环境适应能力，尤其适合在温度波动大或空间受限的应用中使用。其 X7R 介电材料提供了相对稳定的电容随温度变化特性，在 -55°C 到 +125°C 范围内电容偏差控制在 ±15% 以内，显著优于 Z5U 或 Y5V 类电容，因此更适合用于精密定时、滤波和去耦电路。该器件采用超薄陶瓷层压技术，实现高体积效率，在小型化 0805 封装内集成 1.0 μF 的较大容量，有助于减少 PCB 占用面积并提升系统集成度。由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），该电容在高频噪声抑制方面表现出色，常被用作开关电源输出端的滤波元件或 IC 电源引脚的去耦电容。
该电容器通过了 AEC-Q200 汽车级认证，表明其在极端温度循环、湿度敏感性和寿命测试等方面均达到汽车行业严格要求，可用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS 传感器模块等关键部件。其独特的金属化端电极采用镍/锡阻挡层设计，有效防止铜扩散和锡渗透，提高了焊接可靠性和长期耐腐蚀性，避免因潮气侵入引发的开裂或短路故障。此外，该器件具有良好的直流偏压特性，在接近额定电压运行时仍能维持较高有效电容值，这对于低压大容量去耦应用尤为重要。TDK 对该系列产品实施严格的制造管控和可靠性验证流程，确保批次一致性与长期供货稳定性，满足大批量生产需求。产品符合 RoHS 指令，不含铅和其他有害物质，支持绿色环保制造。
B82442A1105K 广泛应用于各类对可靠性和稳定性要求较高的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于电源管理模块、车身控制模块、车载网络节点以及传感器供电电路中，提供稳定的去耦和滤波功能。在工业控制设备中，如 PLC 控制器、变频器和人机界面装置，该电容可用于数字逻辑电路的电源旁路，降低噪声干扰，提高系统抗扰度。通信设备中的射频模块、基带处理单元和接口电源部分也普遍采用此类电容进行局部储能和瞬态响应优化。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，尽管更小尺寸电容更为常见，但在某些特定电源轨设计中仍会选用此型号以平衡容量、耐压与成本。此外，医疗电子设备因其对长期稳定性的高要求，也会选择通过 AEC-Q200 认证的 MLCC 作为关键元器件。该器件特别适用于需要在宽温环境下长期工作的嵌入式系统，是现代电子设计中不可或缺的基础被动元件之一。
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"C3216X7R1A105K"
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