时间：2025/8/14 22:42:36
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BD5200T是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效率功率转换的场合，如DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及电源管理系统。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热并适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：200V
导通电阻（Rds(on)）：@10V VGS下约为5.2mΩ，@4.5V VGS下约为6.8mΩ
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
BD5200T具有低导通电阻特性，这使得它在高电流应用中能有效降低功率损耗，提升系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于多种高压功率转换应用，如工业电源、电动车和电动工具的控制系统。此外，该器件具备良好的热稳定性与高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET采用TO-252封装，具有较好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于在PCB上安装。此外，其栅极电压范围较宽，支持10V或4.5V驱动，适用于不同类型的MOSFET驱动电路。BD5200T还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，在高频应用中表现优异。
BD5200T常用于各类高功率电子设备中，如电源转换器（DC-DC转换器、AC-DC电源）、电机控制模块、电动车驱动系统、工业自动化设备、UPS不间断电源系统以及LED照明驱动电路。由于其高耐压与低导通电阻特性，也适用于高效率电源管理和负载开关设计。
IRF1405, FDP100N20, FQP100N20, STP100N20D2AG
