型号：V881BA60
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5.4A（VGS = -10V）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-16A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ（VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ（VGS = -4.5V）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：400pF（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V 至 -2.0V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMD）

V881BA60采用Vishay成熟的TrenchFET技术，实现了卓越的导通性能与开关特性的平衡。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -10V时仅为42mΩ，在VGS = -4.5V时也仅为50mΩ，这使得器件在大电流负载条件下仍能保持较低的导通损耗，显著提升电源系统的转换效率。该特性尤其适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，能够有效延长电池续航时间。此外，低RDS(on)还减少了发热，降低了对散热设计的需求，有利于实现更紧凑的产品结构。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg = 10nC）和输入电容（Ciss = 400pF），这两个参数直接影响MOSFET的开关速度和驱动功耗。低Qg意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，不仅减轻了驱动电路的负担，还能实现更快的开关响应，减少开关过渡期间的能量损耗。这一特性使其非常适合高频开关应用，例如同步降压转换器或负载开关电路，有助于提升整体电源环路的动态响应能力。
　　V881BA60的P沟道结构使其在高端开关应用中表现出色。与N沟道MOSFET相比，P沟道器件在高端配置中无需复杂的栅极驱动电路或自举电容，仅需将栅极拉低即可导通，简化了控制逻辑，降低了系统设计复杂度。这对于由低压微控制器直接驱动的应用尤为有利，避免了额外的电平转换或驱动IC的使用，节省了PCB空间和物料成本。
　　器件采用PowerPAK SO-8L封装，具有优异的热传导性能，能够在小尺寸封装下有效散发工作热量，确保长期稳定运行。该封装符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保电子产品制造。此外，V881BA60的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，可在工业级温度范围内可靠工作，满足多种严苛应用环境的需求。

V881BA60广泛应用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关，如智能手机和平板电脑的电池电源管理模块，用于控制主电源路径的通断，防止反向电流并实现过流保护功能。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关能力有助于最大限度地减少能量损耗，延长设备续航时间。
　　该器件也常用于DC-DC转换器，特别是在同步整流拓扑或高端开关配置中，作为主开关管或同步整流管使用。其P沟道特性简化了驱动设计，使其成为替代传统N沟道MOSFET加电荷泵方案的理想选择。此外，在负载开关电路中，V881BA60可用于为不同功能模块（如显示屏、无线模块或传感器）提供独立的电源控制，实现按需供电，优化系统功耗。
　　其他应用还包括热插拔控制器、电源多路复用器、电机驱动电路中的低边或高边开关，以及各类工业控制设备中的电源管理单元。由于其具备良好的热稳定性和宽工作温度范围，也可用于汽车电子辅助系统或工业手持设备中，为关键子系统提供可靠的电源控制。此外，由于其封装小巧且易于集成，非常适合空间受限的高密度PCB布局设计。

Si7465DP-T1-GE3
　　AO4490
　　FDS6680A