NRVHP620MFDT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装肖特基势垒整流器。该器件设计用于高效率、高频整流应用,适用于电源管理、DC/DC 转换器以及各种需要快速开关性能的电路。这款二极管采用 SOD-123 封装,具有较小的外形尺寸,适合高密度 PCB 布局。
最大重复峰值反向电压(VRRM):20V
最大平均整流电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):40A
正向电压降(VF):0.35V(最大值,@1A)
反向漏电流(IR):100μA(最大值,@20V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
NRVHP620MFDT1G 的核心特性是其低正向电压降(VF),通常在 0.35V 以下,这显著降低了导通损耗,提高了能效。
其快速开关特性使其非常适合高频应用,如开关电源和 DC/DC 转换器。
该器件的 SOD-123 表面贴装封装不仅节省空间,而且具有良好的热性能,能够有效散热。
在高温环境下,NRVHP620MFDT1G 依然能保持稳定性能,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。
此外,该器件具有高浪涌电流承受能力(IFSM 高达 40A),可有效应对瞬态过载情况,提高了系统的可靠性和耐用性。
由于其低电容和快速恢复时间,NRVHP620MFDT1G 也适用于高频逆变器和整流电路。
NRVHP620MFDT1G 主要应用于各类电源系统和电路中,例如开关电源(SMPS)、DC/DC 转换器、电池充电器、负载保护电路、高频逆变器以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。
此外,该器件也常用于电信设备、消费类电子产品和工业控制系统中的整流与保护电路。
由于其表面贴装封装和小尺寸特性,NRVHP620MFDT1G 特别适用于高密度 PCB 设计和自动化装配流程。
它还可以用于防止反向极性连接的保护电路,保障电子设备的安全运行。
MBR0520T1G, BAT54J, RB520S-30, 1N5819W