时间：2025/7/30 19:06:08
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BD4954是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种开关电源设备。BD4954采用高密度封装技术，确保了在高电流负载下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
BD4954具备多项优异的电气和热性能特点，首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别是在高电流应用场景中表现尤为突出。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提升了整体能效。
此外，BD4954具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达120A，适合用于高功率密度设计。其60V的漏源电压额定值也使其适用于多种中低压功率转换应用，如服务器电源、通信设备电源、电动车电机控制器等。
在热管理方面，TO-247封装提供了良好的散热性能，使器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性和耐久性。
BD4954广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车电机控制器、工业自动化设备中的功率开关、不间断电源（UPS）以及服务器和通信设备的电源模块。其高效、高可靠性的特点使其成为高性能电源设计中的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, IPW60R045C6, FDP142N60FM
