LBSS123KT1G 时间：2025/8/13 13:27:43 阅读：29

LBSS123KT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频率和高增益应用，适用于各种电子设备，如射频（RF）放大器、混频器和振荡器等。LBSS123KT1G采用SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的电路设计中使用。该晶体管具有良好的高频响应和低噪声特性，因此在通信设备和高频信号处理电路中具有广泛的应用。

参数

晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益（hFE）：110 - 800（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　噪声系数：3 dB（典型值）
　　安装类型：表面贴装

特性

LBSS123KT1G晶体管具备多项优良特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，该晶体管具有较高的过渡频率（fT），可达250 MHz，使其适用于高频放大和信号处理应用。其次，LBSS123KT1G的噪声系数较低，典型值为3 dB，这使其非常适合用于低噪声放大器的设计，尤其是在射频前端电路中。此外，该晶体管的增益范围较宽，hFE值可在110至800之间，具体取决于不同的等级划分，这为设计者提供了灵活的选择空间。由于采用SOT-23封装，LBSS123KT1G具有较小的封装体积，便于在高密度PCB布局中使用。同时，其最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够满足大多数低功率高频电路的需求。另外，LBSS123KT1G具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。

应用

LBSS123KT1G晶体管广泛应用于高频电子电路中，特别是在射频（RF）和中频（IF）放大器的设计中。它常用于无线通信设备、广播接收器、射频识别（RFID）系统以及各类便携式电子产品中的信号放大和处理电路。此外，由于其低噪声特性和高增益性能，LBSS123KT1G也适用于前置放大器、混频器和振荡器等电路。在音频放大器中，该晶体管可用于前置级放大，以提供较高的信号增益和较低的噪声干扰。由于其SOT-23封装的小型化特点，LBSS123KT1G也常用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。