BD4850G-TR 时间：2025/5/16 16:02:28 阅读：9

BD4850G-TR是罗姆（ROHM）公司生产的一款N沟道MOSFET晶体管。该器件采用小型表面贴装封装TO-252（DPAK），具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力，适合在各种功率转换应用中作为开关元件使用。
　　这款MOSFET适用于需要高效能和低功耗的应用场景，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等电路设计。由于其卓越的性能和可靠性，BD4850G-TR被广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

型号：BD4850G-TR
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　Vds（漏源极间电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：70A
　　Vgs(th)（阈值电压）：1.8V~3.6V
　　f（工作频率范围）：高达1MHz
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　结温范围：-55℃至+175℃
　　输入电容Ciss：1500pF

特性

BD4850G-TR具有非常低的导通电阻Rds(on)，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的快速开关特性和高电流承载能力使其非常适合于高频开关应用。
　　该MOSFET还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的工作状态。
　　BD4850G-TR的设计注重降低寄生电感和电容影响，从而优化了动态性能，减少了开关过程中的振荡和干扰。同时，其坚固耐用的结构能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，增强了系统的整体鲁棒性。

应用

BD4850G-TR可以用于多种电力电子应用中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器的高端或低端开关。
　　3. 负载开关以实现电路保护和动态功率分配。
　　4. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
　　5. 各类电机驱动器，如步进电机、直流无刷电机等。
　　6. LED驱动电路中的电流调节与控制。
　　7. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
　　8. 通信基站电源模块的关键组件。
　　9. 汽车电子系统中的大电流切换任务。