时间：2025/5/21 10:36:37
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BD4835FVE-TR是罗姆（ROHM）半导体生产的一款N沟道MOSFET晶体管。该器件采用小型表面贴装封装，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。
BD4835FVE-TR的设计旨在降低功耗并提高效率，适用于广泛的消费类电子产品及工业设备中的电源管理电路。
漏源极击穿电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：17nC（典型值）
总功耗：20W
工作结温范围：-40℃至+150℃
封装类型：TO-252(DPAK)
BD4835FVE-TR具有非常低的导通电阻，可显著减少功率损耗并提升系统效率。其高电流处理能力使其非常适合于负载切换、DC/DC转换器以及电机驱动等应用。
此外，这款MOSFET还具备快速开关性能和良好的热稳定性，能够满足现代电子设备对高性能和可靠性的要求。
由于采用了DPAK封装，它不仅拥有出色的散热性能，还便于在紧凑型设计中使用。
BD4835FVE-TR广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)
2. DC/DC转换器
3. 电池保护电路
4. 汽车电子中的负载驱动
5. 工业控制系统的功率管理
6. 各种需要低导通电阻和高效率的场合
IRFZ44N
STP16NF06
FDP15U20AE
BSC018N06NSG
