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FS18B105K160PBG 发布时间 时间:2025/5/24 20:00:57 查看 阅读:14

FS18B105K160PBG是一种基于硅基技术的高压MOSFET功率晶体管,主要用于高效率开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺设计,具有低导通电阻和快速开关性能的特点,从而可以显著降低能量损耗并提高系统整体效率。
  FS18B105K160PBG支持高达105V的漏源电压(Vds),并且具备出色的热稳定性和可靠性,使其非常适合于各种工业和汽车级应用场景。

参数

最大漏源电压(Vds):105V
  连续漏极电流(Id):160A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):95nC
  输入电容(Ciss):3320pF
  反向传输电容(Crss):160pF
  输出电容(Coss):130pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装类型:PBG

特性

1. 高击穿电压(105V),能够承受更高的工作电压,增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
  2. 极低的导通电阻(4.5mΩ),有效减少传导损耗,从而提升系统效率。
  3. 快速开关速度,结合较小的栅极电荷(95nC),降低了开关损耗。
  4. 优化的体二极管恢复特性,减少了寄生二极管效应带来的额外损耗。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合多种国际规范要求。
  6. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适用于极端条件下的工业和汽车领域应用。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 能量回收系统中的高效功率切换元件。
  5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能实现。

替代型号

FS18B100K140PBG
  IRF1810
  FDP18N10
  STP160N10F7

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