FS18B105K160PBG是一种基于硅基技术的高压MOSFET功率晶体管,主要用于高效率开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺设计,具有低导通电阻和快速开关性能的特点,从而可以显著降低能量损耗并提高系统整体效率。
FS18B105K160PBG支持高达105V的漏源电压(Vds),并且具备出色的热稳定性和可靠性,使其非常适合于各种工业和汽车级应用场景。
最大漏源电压(Vds):105V
连续漏极电流(Id):160A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
输入电容(Ciss):3320pF
反向传输电容(Crss):160pF
输出电容(Coss):130pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装类型:PBG
1. 高击穿电压(105V),能够承受更高的工作电压,增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
2. 极低的导通电阻(4.5mΩ),有效减少传导损耗,从而提升系统效率。
3. 快速开关速度,结合较小的栅极电荷(95nC),降低了开关损耗。
4. 优化的体二极管恢复特性,减少了寄生二极管效应带来的额外损耗。
5. 符合RoHS标准,环保且适合多种国际规范要求。
6. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适用于极端条件下的工业和汽车领域应用。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 能量回收系统中的高效功率切换元件。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能实现。
FS18B100K140PBG
IRF1810
FDP18N10
STP160N10F7