时间：2025/5/24 20:00:57
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FS18B105K160PBG是一种基于硅基技术的高压MOSFET功率晶体管，主要用于高效率开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺设计，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，从而可以显著降低能量损耗并提高系统整体效率。
FS18B105K160PBG支持高达105V的漏源电压（Vds），并且具备出色的热稳定性和可靠性，使其非常适合于各种工业和汽车级应用场景。
最大漏源电压（Vds）：105V
连续漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：3320pF
反向传输电容（Crss）：160pF
输出电容（Coss）：130pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：PBG
1. 高击穿电压（105V），能够承受更高的工作电压，增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
2. 极低的导通电阻（4.5mΩ），有效减少传导损耗，从而提升系统效率。
3. 快速开关速度，结合较小的栅极电荷（95nC），降低了开关损耗。
4. 优化的体二极管恢复特性，减少了寄生二极管效应带来的额外损耗。
5. 符合RoHS标准，环保且适合多种国际规范要求。
6. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适用于极端条件下的工业和汽车领域应用。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 能量回收系统中的高效功率切换元件。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能实现。
FS18B100K140PBG
IRF1810
FDP18N10
STP160N10F7
