时间：2025/6/25 23:49:30
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JSM80N04C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性，广泛应用于各种电源管理、电机驱动以及功率转换电路中。其额定电压为40V，能够提供高达80A的连续漏极电流，适用于需要高效能和低损耗的场景。
JSM80N04C采用了先进的制造工艺，优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，从而在高频工作条件下仍然保持较低的功耗。此外，它还具备出色的热稳定性和ESD防护能力，能够在严苛的工作环境下长期运行。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：80A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：31nC
输入电容：1640pF
总功耗：270W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力，支持大功率负载。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作。
5. 内置ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）的核心组件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种工业设备中的负载切换与保护。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电路径管理。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率调节模块。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP80NF06L
