容量：512KB
　　组织方式：x8
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：260
　　访问时间：70ns
　　工作电压：3.3V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 125°C
　　最大工作电流：待定（需参考具体数据手册）
　　最大静态电流：待定（需参考具体数据手册）

HY512260JC-70 是一款基于快速页面模式（Fast Page Mode, FPM）技术的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，其核心特性之一是其快速的访问时间，最低可达70ns，这使得它在一些对内存响应速度有一定要求的系统中表现出色。该芯片的容量为512KB，组织方式为x8位宽，适用于需要中等容量内存的嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机系统。
　　此外，HY512260JC-70 采用TSOP（薄型小外形封装）技术，使得其体积较小，便于集成在高密度电路板上，并具有较好的散热性能。该封装形式也有助于降低电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性。
　　工作电压方面，HY512260JC-70 设计为支持3.3V供电，这种电压水平在当时的DRAM芯片中是较为常见的，有助于降低功耗并提高系统的能效比。其工作温度范围为0°C至70°C，适合在标准工业环境下使用，而存储温度范围则更宽，为-55°C至125°C，表明其在非工作状态下具有良好的环境适应性。
　　作为FPM DRAM，HY512260JC-70 支持突发访问模式，即在同一个行地址内连续读取或写入多个列地址的数据，从而提高数据传输效率。尽管相比现代的同步动态随机存取存储器（SDRAM）来说其速度和功能有所限制，但在某些特定的老化系统或需要兼容性的应用场景中，它仍然具有一定的使用价值。

HY512260JC-70 常用于需要中等容量内存和适中数据访问速度的系统中，包括但不限于工业控制设备、嵌入式系统、老式计算机主板以及需要兼容FPM DRAM的设备。由于其TSOP封装形式和较低的功耗特性，该芯片也适用于空间受限且对散热有一定要求的电子产品中。

HY512260JC-60, HY512260JC-10