型号：BD3575HFP-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：HFP4
　　引脚数：4
　　输出类型：固定或可调
　　输出电压范围：1.8V ~ 5.0V（可调）
　　输出电流：最大150mA
　　输入电压范围：2.5V ~ 6.0V
　　压差电压：典型值300mV @ 150mA
　　静态电流：典型值70μA
　　关断电流：小于1μA
　　输出电压精度：±1%
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　保护功能：过流保护、过热保护、反向电流防止
　　调节方式：外部电阻分压反馈控制
　　最小负载电流：无要求
　　稳定性要求电容：≥1.0μF陶瓷电容

BD3575HFP-TR具备多项先进特性，使其在同类LDO产品中表现出色。首先，其采用P沟道MOSFET结构，能够在较低的压差下提供较大的输出电流，显著提升了转换效率，尤其适合电池供电系统中延长续航时间的需求。相较于传统的PNP型LDO，P沟道MOSFET的导通电阻更小，因此在相同负载条件下产生的热量更低，进一步增强了系统的可靠性。
　　其次，该器件具有极高的输出电压精度（±1%），即使在输入电压波动或负载变化的情况下也能维持稳定的输出，这对于微处理器、传感器和精密模拟电路等对电源质量要求较高的应用至关重要。此外，其线路调整率和负载调整率均表现优异，分别可达0.05%/V和0.1%/mA，有效抑制因电源波动引起的性能下降。
　　第三，BD3575HFP-TR内置多重保护机制，包括过流保护（OCP）、过热关断（TSD）以及防止反向电流流动的功能。当检测到输出端电压高于输入端时，内部开关会自动断开，避免电流倒灌损坏上游电源。这些保护功能不仅提高了系统的安全性，也减少了对外部保护元件的需求，简化了PCB布局设计。
　　第四，该LDO对输出电容的要求非常宽松，仅需使用最小1.0μF的X5R/X7R陶瓷电容即可保证环路稳定性，无需额外添加ESR电阻，降低了物料成本并节省空间。同时，其静态电流仅为70μA，在轻载或待机状态下功耗极低，非常适合用于长期运行的物联网节点或便携式设备。
　　最后，BD3575HFP-TR采用HFP4封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB铜箔有效导热，提升功率承受能力。这种封装形式在保持小型化的同时兼顾散热性能，适用于高密度组装环境。结合卷带包装（TR表示Tape and Reel），便于自动化贴片生产，提高制造效率。

BD3575HFP-TR因其高精度、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的子系统供电，例如为传感器模块、音频编解码器或实时时钟（RTC）提供稳定电压。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、数据采集系统和远程终端单元（RTU），为其内部的微控制器、ADC/DAC转换器或通信接口芯片供电，确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。
　　在汽车电子方面，BD3575HFP-TR适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、仪表盘显示单元以及ADAS辅助驾驶系统的低功耗电源管理部分。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）能够适应严苛的车载环境，而内置的多种保护功能则增强了行车安全性。
　　此外，在医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和电子体温计中，该LDO可为敏感的模拟前端和低功耗MCU供电，保障测量精度和长时间待机能力。
　　在物联网（IoT）设备中，BD3575HFP-TR也常用于无线传感器节点、智能家居控制器和RFID读写器等产品，凭借其低静态电流和快速瞬态响应特性，有效平衡了性能与能耗之间的矛盾，提升整体系统效率。

BD3576HFP-TR
　　XC6206P33MR
　　MIC5205-3.3YM5
　　TPS78233DDCR
　　AP2112K-3.3TRG1