时间：2025/12/25 11:16:32
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BD18351EFV-ME2是一款由ROHM（罗姆）公司生产的高精度、低静态电流的CMOS电压稳压器，专为需要稳定电源供应的便携式设备和电池供电系统设计。该器件采用高增益、满摆幅（Rail-to-Rail）运算放大器技术，能够提供精确的输出电压调节，并具备出色的负载调整率和线路调整率性能。其主要特点包括超低静态电流、高电源抑制比（PSRR）、快速瞬态响应以及优异的温度稳定性，非常适合在功耗敏感型应用中使用。BD18351EFV-ME2属于ROHM的“Nano Cap”系列LDO，能够在极小的输出电容下保持环路稳定性，从而显著减小外部元件尺寸并降低成本。该芯片广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点、传感器模块及其他对空间和能效要求严苛的电子系统中。
型号：BD18351EFV-ME2
类型：CMOS LDO稳压器
输入电压范围：1.3V ~ 5.5V
输出电压：1.8V（固定）
输出电压精度：±1.0%（Ta=25°C）
最大输出电流：300mA
静态电流：约18μA（典型值）
关断电流：≤0.1μA（典型值）
电源抑制比（PSRR）：70dB@1kHz（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：HTSOP-J8 / EFV（带散热垫）
输出电容要求：≥0.1μF（陶瓷电容，支持小型化设计）
压差电压：110mV@Iout=100mA（典型值）
BD18351EFV-ME2采用了ROHM独有的电路设计技术和先进的CMOS工艺，实现了超低静态电流与高稳定性的完美结合。其核心优势之一是“Nano Cap”技术，允许在仅需0.1μF或更小输出电容的情况下维持环路稳定，这在以往的传统LDO中是难以实现的。这项技术极大地减少了对外部大容量电容的依赖，使整体电源解决方案更加紧凑，特别适合PCB面积受限的应用场景，如TWS耳机、智能手表和微型传感器模块。
该器件具有非常高的电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达70dB以上，有效滤除来自输入端的噪声和纹波，确保后级敏感模拟电路（如ADC、传感器信号链）获得干净稳定的供电。同时，它具备良好的瞬态响应能力，在负载电流快速变化时仍能保持输出电压的稳定，避免系统误操作或数据错误。
BD18351EFV-ME2内置多种保护功能，包括过流保护（OCP）、热关断保护（TSD）和反向电流阻断功能，提升了系统的可靠性与安全性。此外，其关断模式下的电流消耗低于0.1μA，适合用于需要长时间待机或周期性唤醒的低功耗应用。芯片采用HTSOP-J8封装，底部带有散热焊盘，有助于改善热传导性能，提高长期运行的稳定性。
BD18351EFV-ME2广泛应用于对功耗、尺寸和电源质量有严格要求的便携式电子设备。典型应用场景包括智能手机中的辅助电源轨、可穿戴设备（如智能手环、健康监测仪）的传感器供电、无线通信模块（如蓝牙LE、Zigbee、LoRa）的稳压电源、工业传感器节点、医疗电子设备以及各类电池供电的IoT终端。由于其支持小型输出电容和低静态电流，特别适用于采用纽扣电池或锂聚合物电池供电的长期运行系统。此外，也可作为高性能MCU、RTC、存储器等外围芯片的专用低压差稳压源，保障系统在轻载和动态负载条件下的电源完整性。
BD18GA30EFJ-ME2,BD18L25G-C
