时间：2025/12/25 13:07:19
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BD1321G-TR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似小型封装），适用于空间受限的便携式电子设备和电源管理系统。BD1321G-TR在低电压控制电路中表现出色，能够实现快速开关响应和较低的导通损耗，因此广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统中。该MOSFET具有优化的栅极结构，能够在标准逻辑电平（如3.3V或5V）下有效驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了整体设计并降低了系统成本。此外，其高输入阻抗和低驱动电流需求使其非常适合与微控制器和其他数字逻辑器件直接接口。产品符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内长期稳定运行。
型号：BD1321G-TR
类型：N沟道MOSFET
封装形式：SOT-23
极性：N-Channel
漏源电压Vds：60V
连续漏极电流Id：100mA
脉冲漏极电流Idm：400mA
栅源电压Vgs：±20V
功耗Pd：200mW
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
导通电阻Rds(on)：典型值5.5Ω @ Vgs=10V, Id=100mA
阈值电压Vgs(th)：最小值1.0V，最大值2.5V
BD1321G-TR具备优异的开关特性和稳定的电气性能，特别适用于低功率开关应用。其核心优势之一是低阈值电压（Vgs(th)），通常在1.0V至2.5V之间，这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，适合用于3.3V甚至更低电压的控制系统中。这种特性使得该MOSFET在现代低功耗嵌入式系统中极具吸引力，尤其是在需要节能和延长电池寿命的应用场景下表现突出。
另一个关键特性是其较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为5.5Ω，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。虽然该器件的额定电流较小（连续漏极电流为100mA），但足以满足许多小型负载切换、信号路由和电源管理任务的需求。此外，由于采用了先进的硅工艺技术，BD1321G-TR在高频开关操作中展现出良好的动态响应能力，开关速度较快，开关损耗相对较低，有利于提升电源系统的转换效率。
该器件还具备良好的热稳定性与过温耐受能力，结温最高可达150℃，确保在高温环境下仍能可靠工作。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。同时，器件内部集成了体二极管，可在感性负载关断时提供续流路径，增强系统安全性。综合来看，BD1321G-TR凭借其小尺寸、低功耗、高可靠性及易于驱动的特点，成为众多消费类电子、工业控制和通信模块中的理想选择。
BD1321G-TR广泛应用于各类低功率开关和电源管理场合。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断以实现节能；在DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关或辅助开关元件，提升转换效率；在微控制器I/O扩展电路中用于驱动LED、继电器或其他外围设备；也可用于电池供电系统的电源切换与保护电路中，防止反向电流或过载损坏主控芯片。此外，该器件适用于测试测量仪器、传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）的电源控制，以及各种需要逻辑电平驱动的小信号开关应用。由于其高可靠性和稳定性，也常被用于工业自动化设备和汽车电子中的辅助控制电路中。
DMG1012UW-7
