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AONS36346 发布时间 时间:2025/5/14 16:35:04 查看 阅读:4

AONS36346是Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。其工作电压范围为20V,能够满足消费电子、通信和工业应用中的严格要求。
  该器件通过优化的芯片设计和先进的制造工艺,在小型化封装中实现了出色的电气性能,同时确保了良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:95A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:78nC
  输入电容:2590pF
  总热阻(结到壳):0.3°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

AONS36346是一款高性能的N沟道MOSFET,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.2mΩ,从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
  2. 高额定电流能力(95A),使其非常适合大功率应用。
  3. 先进的TOLL封装技术,具备卓越的散热性能和紧凑尺寸。
  4. 良好的开关特性,例如较低的栅极电荷(Qg=78nC),有助于降低开关损耗。
  5. 宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在极端环境下的可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,支持环保要求。

应用

AONS36346广泛应用于需要高效功率管理的各种场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和DC-DC转换。
  4. 服务器和通信设备中的功率分配模块。
  5. 大功率LED驱动电路中的开关元件。
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件特别适合追求高效能和小体积的设计方案。

替代型号

AONP36346

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AONS36346参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.02132卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26.5A(Ta),60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)800 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线