时间：2025/4/29 13:53:33
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5AGTMD3G3F31I5N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理和功率转换场景。
这款晶体管主要应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等领域，能够显著提高系统的能效并降低热损耗。
型号：5AGTMD3G3F31I5N
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：60V
栅源极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ(在 Vgs=10V 时)
功耗(PD)：36W
工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
5AGTMD3G3F31I5N 具有卓越的性能表现，以下是其主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提升系统整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效电源转换需求。
3. 宽泛的工作温度范围，使其可以在极端环境下保持稳定运行。
4. 高电流承载能力，确保其能够在大功率应用场景中发挥出色性能。
5. 小巧的封装设计，便于集成到空间受限的设计中。
6. 内置静电防护功能，提升了器件的可靠性和抗干扰能力。
该器件广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品中的电池保护和充电管理电路。
由于其高效的性能和宽广的应用范围，5AGTMD3G3F31I5N 成为了众多工程师的首选解决方案。
5AGTMD3G3F31I6P, IRF540N, FDP5500
