类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）

BC857W115 晶体管具有良好的高频响应，适用于中频放大器和高速开关电路。该器件的电流增益（hFE）范围广泛，分为多个等级，便于设计人员根据具体需求选择合适的晶体管。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，而且具备良好的热管理能力，能够有效散热。此外，BC857W115 具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。晶体管的基极-发射极结具有良好的稳定性，能够在宽温度范围内保持一致的电气性能，适用于工业级和消费级电子设备。该器件符合RoHS标准，无铅环保，适用于现代绿色电子产品制造。
　　在可靠性方面，BC857W115 经过严格的测试和验证，能够在恶劣环境下稳定工作，例如高温、高湿或振动环境中。其电气参数在制造过程中受到严格控制，确保每一批次的产品都具有一致的性能。此外，由于该晶体管的广泛应用，市场上供应稳定，价格合理，是许多电子设计工程师的首选器件之一。

BC857W115 主要应用于开关电路、信号放大、接口电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制、电源管理以及嵌入式系统中的信号处理。由于其高频特性和低功耗特性，该晶体管也常用于射频前端电路、音频放大模块以及低噪声放大器设计中。

BC847W, BC857BS, BC857C, 2N3904, 2N2222